6月15日，山东大学第69期、第70期“育晶论坛”成功举办。纽约州立大学石溪分校Michael Dudley教授、浙江大学王蓉研究员受邀作为论坛主讲嘉宾，分别作了题为“Understanding the origins and impact of the defect configurations observed in SiC and AlN”和“掺杂调控4H-SiC中位错的电子和动力学特性”的学术报告。论坛由大平台彭燕研究员主持。
Michael Dudley教授围绕宽禁带半导体中缺陷的形成与传播机制展开论述。报告系统介绍了利用同步辐射X射线形貌术（包括单色光和白光）对PVT法生长的4H-SiC衬底、CVD法同质外延层以及PVT法生长的AlN晶体中缺陷构型的起源、演化及其影响的研究成果。报告通过展示SiC和AlN高温变形实验的原位同步辐射研究预览，揭示了在可控生长条件下缺陷形核与传播的实时过程，充分证明了原位同步辐射技术在理解缺陷行为方面的独特价值。
王蓉研究员聚焦4H-SiC中位错的掺杂调控研究展开报告。报告指出，位错是决定半导体材料和器件性能、良率及可靠性的关键因素。王蓉研究员所在团队通过揭示4H-SiC中位错的基本构型、电学与动力学行为，发展了基于非热力学平衡方法的位错动力学行为调控技术，并将其应用于4H-SiC外延材料的后处理，为高质量单晶生长和外延提供了新思路。
在讨论环节，现场师生就宽禁带半导体缺陷表征技术、位错调控机制以及外延材料后处理等问题，与两位主讲嘉宾进行了深入交流。
论坛结束后，彭燕研究员向Michael Dudley教授和王蓉研究员表示感谢并颁发了证书。
为树牢师生创新意识，营造浓厚学术氛围，紧跟学术前沿，把握行业动态，晶体材料全国重点实验室、集成攻关大平台定期举办“育晶论坛”系列学术活动，每周邀请领域内杰出学者开展常态化学术交流，通过线上线下方式面向师生开放。
