主讲人：刘奥教授
邀请人：徐明升教授
时间：2025年6月3日（周二）下午16:30
地点：中心校区半导体研发大楼第一会议室
报告摘要
互补金属氧化物半导体（CMOS）技术是现代电子工业的基石，广泛应用于集成电路、显示技术、柔性电子等领域。然而，长期以来，高性能P型半导体材料的匮乏严重制约了CMOS技术的进一步发展。与成熟的N型半导体（如IGZO、LTPS等）相比，P型半导体在载流子迁移率、环境稳定性和工艺兼容性等方面仍存在显著差距，导致P沟道薄膜晶体管（TFT）的性能难以满足实际应用需求。尽管该领域已持续探索多年，实现高性能P沟道薄膜晶体管（TFT）仍面临诸多挑战，例如材料本征限制、载流子输运机制不清晰以及器件制备集成的复杂性等。
针对以上这些挑战，本次报告首先将简要回顾该方向的研究背景，重点分享我们近年来在不同P型半导体体系（包括金属氧化物、金属卤化物、钙钛矿体系和元素化合物等）方面的一些尝试与探索。随后，报告人将重点介绍近期在非晶P型氧化物材料开发方面的工作，并基于该沟道材料实现了高性能和高稳定性TFT器件，并进一步实现了全氧化物柔性多功能CMOS逻辑电路的集成。
个人简介
电子科技大学基础与前沿研究院，教授、博士生导师, 国家级青年人才。于韩国浦项科技大学获得工学博士学位，美国西北大学从事博士后研究。从事新型半导体材料与薄膜晶体管（TFT）、CMOS集成器件研究，首次提出高性能非晶P型复合氧化物的设计与制备集成应用。迄今以第一/通讯作者在 Nature、Science、Nature Electronics、Nature Protocols、Nature Communications 等国际期刊发表论文60余篇。曾荣获“中国十大新锐科技人物”、韩国信息显示协会“青年领袖奖”等多项荣誉。
